11月18日至21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇在江蘇蘇州舉行。2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展在論壇上公布。其中，西安電子科技大學(xué)和西安交通大學(xué)的科研成果入選。

　　西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組在6—8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術(shù)上實(shí)現(xiàn)重大突破。課題組的李祥東教授告訴記者，團(tuán)隊(duì)陸續(xù)攻克了該類電子器件外延、設(shè)計(jì)、制造和可靠性等系列難題，成果成功應(yīng)用于功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品中。

　　西安交通大學(xué)王宏興教授研究團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底國產(chǎn)化。團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)10年潛心研發(fā)，通過對成膜均勻性、溫場、流場及工藝參數(shù)的有效調(diào)控，獨(dú)立自主開發(fā)了2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底，提高了異質(zhì)外延單晶金剛石成品率與晶體質(zhì)量，并成功實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。這一創(chuàng)新成果標(biāo)志著我國在金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的研究已達(dá)到國際領(lǐng)先水平，為金剛石的半導(dǎo)體應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

　　(記者 郭詩夢)